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尹甲运

作品数：104 被引量：34H指数：3
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房玉龙
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
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冯志红
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 金刚石 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志荣
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 衬底 势垒层 异质结场效应晶体管 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 衬底 掺杂 氮化物 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李佳
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：石墨烯 碳化硅 外延层 衬底 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
芦伟立
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 外延层 碳化硅 衬底 外延片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：SI衬底 ALGAN GAN ALN 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敦少博
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：GAN 微波器件 SIC_MESFET MMIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋旭波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 肖特基二极管 电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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