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陈克金

作品数：29 被引量：25H指数：3
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 GAN 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李祖华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 场效应晶体管 MESFET 可靠性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹昕
供职机构：西安交通大学
研究主题：MESFET ALN薄膜 ALN GAAS功率 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗晋生
供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 双极晶体管 X HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋山松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：放大器 行波放大器 微波元件 电子器件 带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
莫火石
供职机构：信息产业部
研究主题：半导体器件 微波器件 微波半导体器件 电路 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李毅
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：单片集成 电调衰减器 衰减器 GAAS 微波单片集成
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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