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钱聪

作品数：16 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贺威
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 沟道 单粒子翻转 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田浩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 总剂量辐射 SOI 硅 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈明
供职机构：中国科学院
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 沟道 总剂量辐射 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王茹
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 SOI 总剂量辐射 硅 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙佳胤
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：氮化镓 SOI 衬底材料 衬底 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞文杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：沟道 图形化 硅 衬底 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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