贺威
- 作品数：124 被引量：53H指数：4
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市基础研究计划项目深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 总剂量辐射下的NMOS/SOI器件背栅阈值电压漂移模型被引量：1
- 2010年
- SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法,对辐射在SOI器件的埋氧层中的感生氧化物电荷进行模拟,然后分析此氧化物电荷对器件的外部电学特性的影响,建立了器件在最劣偏置下辐射引起的背栅MOSFET的阈值电压漂移模型,提取背栅MOSFET受辐射影响参数,以用于在SOI电路设计中准确的评估辐射对SOI电路的影响。模拟数据和试验数据具有很好的一致性。
- 贺威张正选
- 关键词：埋氧层绝缘体上硅总剂量辐射效应背栅
- 一种垂直型氮化镓LED的三色芯片及制备方法
- 本发明公开了一种垂直型氮化镓LED的三色芯片，包括：重掺杂氮化镓自支撑衬底的正面依次沉积有n型氮化镓外延层、InGaN/GaN多量子阱有源层和p型氮化镓外延层，重掺杂氮化镓自支撑衬底的背面沉积有背面N‑type接触电极；...
- 刘新科蒋忠伟林锦沛杨永凯贺威方明黎晓华钟泽黄双武
- 双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究被引量：2
- 2018年
- 介绍了一种65nm双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。
- 张准贺威骆盛贺凌翔曹建民刘毅王坤
- 关键词：电荷收集
- 一种氮化镓场效应管及其制备方法
- 本发明公开一种氮化镓场效应管及其制备方法，所述氮化镓场效应管包括氮化镓衬底、漂移层、沟道层以及电极；漂移层设于氮化镓衬底的一侧；沟道层设于漂移层远离衬底的一侧，沟道层包括邻接漂移层设置的第一沟道层以及邻接第一沟道层设置的...
- 贺威黄昊利健郑子阳杨嘉颖吴健华刘新科
- 文献传递
- 一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法
- 本发明实施例公开了一种氮化镓垂直结型场效应管的制备方法，包括：在N+型氮化镓衬底上生长N‑型氮化镓外延层，在N‑型氮化镓外延层的两侧通过离子注入的方式掩模生长0.5～2um深的P型氮化镓外延层；在N‑型氮化镓外延层和P型...
- 刘新科黄昊杨嘉颖贺威黎晓华宋利军黄双武
- 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
- 本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场...
- 张恩霞张正选王曦林成鲁林梓鑫钱聪贺威
- 文献传递
- 一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法。该方法采用ICP进行氧气等离子优化氮化镓导电通道，在沉积绝缘介电层之前先进行氧气等离子体处理，然后进行原位退火，在栅极区产生一种晶体GaON...
- 刘新科林峰利键陈勇王磊黎晓华贺威俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥朱德亮
- 文献传递
- 场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开一种场效应晶体管及其制备方法，场效应晶体管包括基层、p型纳米线、n型纳米线、漏极、源极以及栅极结构，基层形成有间隔设置的第一掺杂区和第二掺杂区；p型纳米线和n型纳米线成对设置，p型纳米线垂直设于第一掺杂区，n型...
- 贺威杨嘉颖利健黄昊郑子阳吴健华刘新科
- MOSFET管及其制备方法
- 本发明的目的是提供一种MOSFET管及其制备方法。本发明提出的新型GaN器件结构将垂直沟槽结构与AlSiO氧化物结合在一起，以及将旋涂玻璃(SOG)作为场板电介质并制作接触孔巧妙的形成了场板结构，有效降低了氧化物的最大电...
- 刘新科陈勇王佳乐胡聪邓煊华吴健华贺威
- 文献传递
- 环栅CMOS/SOI的X射线总剂量辐射效应研究被引量：1
- 2007年
- 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料作出改性,分别在改性材料和标准SIMOXSOI材料上制作部分耗尽环型栅CMOS/SOI器件,并采用10keVX射线对其进行了总剂量辐照试验。实验表明,同样的辐射总剂量条件下,采用改性材料制作的器件与标准SIMOX材料制作的器件相比,阈值电压漂移小得多,亚阈漏电也得到明显改善,说明改性SIMOXSOI材料具有优越的抗总剂量辐射能力。
- 贺威张恩霞钱聪张正选
- 关键词：注氧隔离绝缘体上硅总剂量辐射效应
