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林成鲁

作品数：249 被引量：546H指数：13
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术发展基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 174篇期刊文章
  • 33篇会议论文
  • 28篇专利
  • 14篇科技成果

领域

  • 169篇电子电信
  • 29篇理学
  • 25篇一般工业技术
  • 11篇电气工程
  • 5篇化学工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇自然科学总论
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇核科学技术

主题

  • 53篇离子注入
  • 42篇SOI
  • 38篇硅
  • 35篇电路
  • 30篇集成电路
  • 28篇半导体
  • 27篇铁电
  • 27篇SIMOX
  • 26篇铁电薄膜
  • 19篇SOI材料
  • 18篇退火
  • 18篇脉冲激光
  • 17篇埋层
  • 14篇离子束
  • 14篇脉冲激光沉积
  • 14篇绝缘埋层
  • 14篇激光
  • 13篇氮化
  • 13篇氮化铝
  • 13篇纳米

机构

  • 154篇中国科学院上...
  • 90篇中国科学院
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  • 4篇同济大学
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  • 2篇中山大学
  • 2篇香港理工大学
  • 2篇中科院上海微...
  • 2篇萨里大学
  • 2篇上海新傲科技...
  • 1篇大阪大学

作者

  • 249篇林成鲁
  • 46篇邹世昌
  • 39篇王连卫
  • 33篇宋志棠
  • 31篇刘卫丽
  • 26篇沈勤我
  • 24篇张苗
  • 21篇李金华
  • 19篇多新中
  • 18篇郑立荣
  • 18篇林梓鑫
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  • 14篇安正华
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  • 13篇章宁琳
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  • 11篇门传玲
  • 10篇倪如山
  • 10篇周祖尧

传媒

  • 29篇功能材料与器...
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  • 8篇物理
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  • 5篇第十三届全国...
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  • 3篇电子学报
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  • 3篇电子显微学报

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 6篇2005
  • 12篇2004
  • 29篇2003
  • 19篇2002
  • 23篇2001
  • 11篇2000
  • 19篇1999
  • 9篇1998
  • 14篇1997
  • 18篇1996
  • 21篇1995
  • 8篇1994
  • 9篇1993
  • 7篇1992
共 249 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究被引量：1
2006年
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作。研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置。通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α。
钱聪张恩霞贺威张正选张峰林成鲁王英民王小荷赵桂茹恩云飞罗宏伟师谦
关键词：总剂量辐照效应
脉冲准分子激光PZT薄膜的制备被引量：9
1994年
本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＳＲ等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。
陈逸清郑立荣林成鲁邹世昌
关键词：PZT铁电薄膜准分子激光沉积
SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜微结构及其抗疲劳等铁电特性的研究被引量：8
1997年
在低温Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用脉冲准分子激光沉积技术结合氧气氛下７００℃退火获得高质量的ＳＢＴ薄膜，其择优取向为（００８）和（１１５）．薄膜厚度约为２００ｎｍ．铁电性能测试显示较饱和的、方形的电滞回线，其剩余极化和矫顽电场分别为１０μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ，在１０１０次开关极化后没有显示任何疲劳，在５Ｖ直流电压下的漏电流密度约为４×１０－８Ａ／ｃｍ２，直流击穿电场约为２５０ｋＶ／ｃｍ．
杨平雄邓红梅郑立荣林成鲁
关键词：微结构铁电材料
制备AlN薄膜为绝缘埋层的新型SOI材料被引量：6
2002年
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求。
门传玲徐政安正华张苗林成鲁
关键词：绝缘埋层ALN薄膜SOI离子束增强沉积氮化铝
一种改进型微净化室晶片键合装置
一种改进型微净化室晶片键合装置,属于微净化技术领域。本实用新型通过采用新型气液混合射流装置取代原微净化室晶片键合的水冲洗方式,使去除微粒能力在0.5μm以下,提高了晶片键合的成功率和键合质量。同时采用带有异尺寸的专用晶片...
王连卫沈勤我林成鲁刘卫丽
文献传递
SOI器件中自加热效应的研究
SOI技术已走向成熟,进入实际应用阶段.但由于低热传导率的SiO<,2>绝缘氧化埋层所造成的自加热效应导致器件的沟道电流下降和负差分电阻的形成等,导致SOI技术的应用受到一定的限制.因而,如何克服自加热效应,成为SOI材...
林青安正华谢欣云张苗林成鲁
关键词：自加热效应沟道电流SPICESOI器件
文献传递
一种器件转移方法
本发明涉及一种器件转移方法，属于微电子领域。包括利用阳极氧化方法在单晶硅上制作具有分层结构的多孔硅和将衬底沿多孔硅层分离，其特征在于：(1)分层结构的多孔硅是在P-或n-Si(100)衬底上制作的，其工艺是在HF/酒精或...
王连卫刘卫丽沈勤我林成鲁
文献传递
256元集成热释电阵列红外成像信号的读出和检测被引量：4
2001年
根据无机纳米陶瓷与聚偏氟乙烯 -三氟乙烯复合敏感膜电容元件具有高阻抗的特点 ,设计了 MOS场效应管为敏感元件作阻抗转换 ,用串联 MOS管作各元件的通断隔离 ,用双 1 6级移位寄存器作集成热释电阵列 X,Y向的寻址控制 ,保证了 1 6× 1 6面阵红外成像信号的可靠读出 .设计了由时钟信号产生、X、Y选通和揿零等功能的 2 56元集成热释电阵列红外成像信号的检测电路 ,满足了单元信号手动测试和 2
袁宁一李金华陈王丽华林成鲁
关键词：读出电路热释电
SIMOX上外延层的TEM研究
1993年
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs光电器件和硅集成电路集成在一块芯片上。SIMOX中氧化物埋层由氧离子注入单晶硅形成,注入能量为200kev,剂量为1.8×10~_(18)/cm^2。注入后试样在1300C干氮气氛中退火6小时。
倪如山朱文化林成鲁
关键词：砷化镓TEM
SOI在射频电路中的应用被引量：2
2005年
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。
骆苏华刘卫丽张苗狄增峰王石冶宋志棠孙晓玮林成鲁
关键词：射频集成电路FD-SOICMOSSIMOX
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