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王连卫: 作品数：139 被引量：221H指数：9; 供职机构：华东师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>; 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>

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一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的方法和装置: 本发明公开了一种改进型压差法在硅微通道内壁上液流沉积薄膜的方法和装置，它包括容器；所述的容器由隔板将腔体分隔成两个腔体：第一腔体和第二腔体；第一腔体和第二腔体之间的隔板上设置有连通两个腔体的卡槽；所述的卡槽上放置有硅微通...; 王连卫梁赪朱一平徐少辉; 文献传递

以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法: 本发明属于微电子学与固体电子学中新材料的制造工艺，具体地说是一种以AlN为绝缘埋层的绝缘体上的硅即SOl材料制备方法，系利用离子束合成或Al膜氮化的方法制备具有良好导热性能的AlN绝缘薄膜，并与、氢氦离子注入、硅片键合和...; 林成鲁张苗王连卫黄继颇多新中; 文献传递

硅基可集成微型葡萄糖传感器的制作方法: 本发明属于微型生物传感器，一种硅基可集成微型葡萄糖传感器的制作方法。现有的葡萄糖传感器以葡萄糖氧化酶电极作为分子识别及信号转换的器件，稳定性差，限制了以酶为基础的葡萄糖传感器的应用。本发明以P－型单面抛光硅片电化学刻蚀制...; 王连卫苗凤娟陶佰睿; 文献传递

用PLD法制备声表面波器件用ZnO薄膜被引量：43: 2001年; 采用脉冲激光淀积 (PLD)法在单晶Si(10 0 )衬底上淀积了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明 ,淀积的ZnO薄膜具有良好的c轴取向性和表面平整度。通过改变淀积气氛或在纯氧中高温退火 ,ZnO薄膜的电阻率提高到 10 7Ω·cm。这些结果表明 ,用PLD法淀积的ZnO薄膜能够满足声表面波(SAW )器件的需要。; 刘彦松王连卫李伟群黄继颇林成鲁; 关键词：脉冲激光淀积压电性声表面波器件氧化锌薄膜

碳点MnO_(2)修饰碳布复合电极的电容性能被引量：1: 2021年; 通过一种自下而上的高温裂解方法制成一种碳点(CD),并在此基础上以碳布(CC)为衬底合成了碳点修饰的二氧化锰(CD/MnO_(2))复合电极。对合成的CD/MnO_(2)/CC进行表征分析,发现生成的CD/MnO_(2)较均匀地生长在碳纤维上,高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)下CD/MnO_(2)呈分层纳米片状。对CD/MnO_(2)/CC进行电化学测试,发现该复合电极在Na2SO4水溶液中展现出了极高的面积比容量(1 mV/s扫描速率下达1400 mF/cm^(2))和超长的循环寿命(4000次循环后电容保持率达87.2%)。最后将复合电极、聚乙烯醇(PVA)和Na2SO4导电凝胶组装成柔性对称超级电容器。结果表明超级电容器扩展了电位窗口,达到了-1~1 V,在30 mV/s的扫描速率下,面积比容量为401 mF/cm^(2)。在180°和90°的弯折下,面积比容量变化不大,展现了良好的弯曲耐受度。; 张兵周秧庞宁童新熊大元徐少辉王连卫; 关键词：复合电极凝胶电解质

多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究被引量：4: 2001年; 用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。; 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁; 关键词：多孔硅 SOI材料

电控可调光衰减器芯片的制备方法: 电控可调光衰减器芯片的制备方法，包括氧化、光刻、腐蚀和做电极步骤，其在上电极上形成一个悬臂部分，在下电极上形成一个空腔部分。本发明方法制成的电可调光衰减器芯片，其采用SOI(绝缘层上硅)技术，制作悬臂式电控反射镜，取代氮...; 王连卫张晓东丁树芹沙长远; 文献传递

利用压差在微通道板侧壁沉积薄膜的装置和使用方法: 本发明公开了一种利用压差在微通道板侧壁沉积薄膜的装置和使用方法。它包括正压腔和负压腔，所述的正压腔和负压腔之间为连通通道，正压腔和负压腔上分别设有进气口和出气口；连通通道的中间位置设置有固定微通道板的卡托；所述的正压腔和...; 朱一平王连卫; 文献传递

MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法: 一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法，包括14个工艺操作步骤：制备第一硅片和第二硅片；生长二氧化硅薄膜；淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层；蚀去第二多晶硅层；去第一正胶；淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜；淀积第三多...; 赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武; 文献传递