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魏碧华

作品数：16 被引量：44H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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机构

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传媒

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地区

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冯志红
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：肖特基二极管 氧化镓 场效应晶体管 金刚石 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋旭波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 肖特基二极管 电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕元杰
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 电极 场效应晶体管 肖特基二极管 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛萍娟
供职机构：天津工业大学
研究主题：LED 共振隧穿二极管 RTD 发光二极管 大功率LED
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵振波
供职机构：天津大学电子信息工程学院
研究主题：共振隧穿二极管 RTD 振荡频率 纳米电子器件 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙静
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：校准 S参数 终端设备 噪声参数 传输线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张世林
供职机构：天津大学
研究主题：共振隧穿二极管 RTD CMOS 光电探测器 振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨中月
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：T型栅 深紫外 波导型 压块 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晨
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：校准 S参数 校准方法 终端设备 串扰
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张豫黔
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：INGAAS/INP RTD 负阻特性 共振隧穿二极管 量子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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