梁惠来
- 作品数：56 被引量：108H指数：7
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
- 2010年
- 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
- 宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
- 关键词：肖特基接触
- IC失效分析方法的研究被引量：4
- 2006年
- 与传统的分析方法相比较,文中设计优化了失效分析方案。采用先进的Lightemission、SAM等技术,提高了集成电路失效分析的成功率和准确度。对IC的设计、研究和生产有积极的指导作用。
- 梁惠来张国强
- 关键词：无损探伤
- 平面型共振隧穿二极管的制作(英文)
- 2007年
- 采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管(RTD),通过离子注入将器件之间进行隔离,避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带来的一些缺点,并且表现出良好的I-V特性,峰谷电流比为3.4.通过该方法制作的RTD将更有利于RTD的平面集成.
- 胡留长郭维廉张世林梁惠来
- 关键词：共振隧穿二极管离子注入峰谷电流比
- 光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
- 2004年
- 光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 .
- 莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
- 关键词：光控电流开关数值模拟
- 三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析
- 2004年
- 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后,对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟,总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。
- 莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
- 单电子晶体管及其工艺制作技术
- 2002年
- 基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究。本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和特性,分析了实现SET的关键因素,回顾和评述了SET制作技术的进展及前景。
- 郭辉郭维廉张世林梁惠来
- 关键词：库仑阻塞单电子晶体管
- 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量：1
- 2008年
- 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
- 郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
- 关键词：电子转移器件
- 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
- 2006年
- 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
- 郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
- RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性被引量：1
- 2010年
- 在RTD的I-V特性测量过程中,有时在负阻区出现VP>VV的情况,一般称为表观正阻(APR)现象。通过RTD/RS锁定电路负载线分析,证实APR起源于RTD串联电阻非本征双稳态线。
- 郭维廉王伟刘伟李晓云牛萍娟梁惠来张世林宋瑞良毛陆虹
- 关键词：共振隧穿二极管电特性双稳态
- 集成型硅光电负阻器件及应用研究被引量：7
- 1999年
- 本文报道了对集成型硅光电负阻器件及其应用的初步研究结果．文中介绍了硅光电负阻器件（ＰＬＢＴ）的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究．根据实验结果。
- 张培宁郭维廉张以谟郑云光李树荣梁惠来张世林
- 关键词：硅光电负阻器件振荡器
