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霍晶

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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机构

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传媒

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  • 2个电子器件

地区

  • 13个陕西省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
王冲
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 电极 ALGAN/GAN HEMT器件 势垒层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张琳霞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流密度 数字电路 势垒 高电子迁移率晶体管 大功率开关
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张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
艾姗
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流密度 数字电路 势垒 大功率开关 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宇桐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 高电子迁移率晶体管 击穿电压 电流密度 数字电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周昊
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：GAN 电流密度 数字电路 势垒 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
党李莎
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电流密度 数字电路 势垒 大功率开关 MIS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵胜雷
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 肖特基二极管 成核 电极 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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