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艾姗

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 5篇电流
  • 5篇电流密度
  • 5篇电路
  • 5篇势垒
  • 5篇数字电路
  • 4篇迁移率
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇功率开关
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇GAN
  • 3篇大功率
  • 3篇大功率开关
  • 2篇频移
  • 2篇去污
  • 2篇外延层
  • 2篇拉曼
  • 2篇击穿电压
  • 2篇薄膜应力

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇艾姗
  • 7篇马晓华
  • 7篇郝跃
  • 5篇张进成
  • 5篇王冲
  • 5篇张琳霞
  • 4篇霍晶
  • 4篇赵胜雷
  • 3篇孟凡娜
  • 3篇党李莎
  • 3篇李小刚
  • 2篇张宇桐
  • 2篇王党会
  • 2篇许晟瑞
  • 2篇毕志伟
  • 2篇毛维
  • 2篇张进城
  • 2篇薛晓咏
  • 2篇周昊
  • 2篇姜腾

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 4篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
郝跃王党会许晟瑞张进城张金凤毕志伟毛维马晓华赵胜雷薛晓咏艾姗
文献传递
基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
文献传递
基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
文献传递
MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型Al...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明
文献传递
缓冲层厚度对GaN基异质结材料和器件的影响研究
由于GaN及其合金的优良特性，如高饱和速度，高击穿电压和好的导热特性，使其倍受关注，GaN HEMT器件被誉为理想的微波功率器件。然而，由于缺少本征衬底，近20年来GaN HEMT微波功率器件的研究都是基于SiC、蓝宝石...
艾姗
关键词：位错密度迁移率
文献传递
GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
文献传递
a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
郝跃王党会许晟瑞张进城张金凤毕志伟毛维马晓华赵胜雷薛晓咏艾姗
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