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张琳霞

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇电流
  • 6篇电流密度
  • 6篇电路
  • 6篇势垒
  • 6篇数字电路
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 3篇功率开关
  • 3篇GAN
  • 3篇HEMT器件
  • 3篇MIS
  • 3篇大功率
  • 3篇大功率开关
  • 2篇击穿电压
  • 1篇导体
  • 1篇淀积
  • 1篇增强型

机构

  • 7篇西安电子科技...

作者

  • 7篇张琳霞
  • 6篇张进成
  • 6篇王冲
  • 6篇马晓华
  • 6篇郝跃
  • 5篇艾姗
  • 4篇孟凡娜
  • 4篇党李莎
  • 4篇霍晶
  • 3篇周昊
  • 3篇姜腾
  • 3篇李小刚
  • 2篇张宇桐
  • 2篇鲁明
  • 2篇侯耀伟
  • 2篇赵胜雷

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaN基增强型器件及AlGaN//GaN二次生长的研究
GaN基材料具有优良的特性，如宽的禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度以及能形成高迁移率、高密度的二维电子气，因此，基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）在高功率开关、微波放大器及高温集成电路方面有出色的应用潜力。A...
张琳霞
关键词：高电子迁移率晶体管仿真增强型
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MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型Al...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华孟凡娜侯耀伟党李莎艾姗李小刚鲁明
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基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
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GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲霍晶艾姗党李莎孟凡娜姜腾赵胜雷
文献传递
MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法
本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4...
张进成张琳霞郝跃王冲马晓华党李莎鲁明周昊孟凡娜侯耀伟姜腾
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GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹...
张进成张琳霞郝跃马晓华王冲艾姗周昊李小刚霍晶张宇桐
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