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颜伟

作品数：22 被引量：22H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 24 条 记 录，以下是 1-10
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李兆峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微环谐振腔 硅 模斑转换器 场效应晶体管 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜彦东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体 ALGAN/GAN_HEMT 硅纳米线 硅衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张严波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 硅纳米线 树突 纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何志
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 HEMT器件 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：晶体管 天线 探测器 太赫兹波 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨香
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 硅基 刻蚀 相变存储器 沟槽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张仁平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT 高电子迁移率晶体管 GAN 干法刻蚀技术 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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