杜彦东
- 作品数：11 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
- 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线...
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- 文献传递
- 突破衍射极限的表面等离子体激元被引量：5
- 2011年
- 表面等离子体激元是外部电磁场诱导金属表面自由电子的集体共振,产生沿金属-介质界面传输的表面波,具有亚波长局域、近场增强和新颖的色散特性,在纳米光子学中发挥着重要的角色。利用表面等离子体激元构成的光学器件能够突破衍射极限,实现微电子与光子在同一个芯片上的集成。系统介绍了表面等离子体激元的基本原理,及其在光波导、探测器、调制器和太阳能电池等方面的重要应用。
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- 关键词：表面等离子体激元纳米光子学
- 增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4
- 2011年
- 随着高压开关和高速射频电路的发展,增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为该领域内的研究热点。增强型GaN基HEMT只有在加正栅压才有工作电流,可以大大拓展该器件在低功耗数字电路中的应用。近年来,国内外对增强型GaN基HEMT阈值电压的研究主要集中以下两个方面:在材料生长方面,通过生长薄势垒、降低Al组分、生长无极化电荷的AlGaN/GaN异质材料、生长InGaN或p-GaN盖帽层,来控制二维电子气浓度;在器件工艺方面,采用高功函数金属、MIS结构、刻蚀凹栅、F基等离子体处理,来控制表面电势,影响二维电子气浓度。从影响器件阈值电压的相关因素出发,探讨了实现和优化增强型GaN基HEMT的各种工艺方法和发展方向。
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- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管增强型
- 半导体晶体管结构及其制造方法
- 一种半导体晶体管结构，包括：一绝缘体上硅，该绝缘体上硅包括埋氧层和顶层硅，该顶层硅的中间有一凹部，该凹部两侧分别为顶层硅的源区和漏区，该源区和漏区之间通过多个硅鳍状结构连接形成沟道，该顶层硅的源区、漏区和硅鳍状结构为同一...
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- 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
- 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅...
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- 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成...
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- 文献传递
- AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展被引量：4
- 2011年
- 首先论述了Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响Al GaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高Al-GaN/GaN HEMT的频率和功率性能,需改善寄生电阻、电容、栅长和击穿电压等参数。然后,着重从材料结构和器件工艺的角度阐述了近年来Al GaN/GaN HEMT的研究进展,详细归纳了目前主要的材料生长和器件制作工艺,可以看出基本的工艺思路是尽量提高材料二维电子气的浓度和材料对二维电子气的限制能力的同时减小器件的寄生电容和电阻,增强栅极对沟道的控制能力。另外,根据具体情况调节栅长及沟道电场。最后,简要探讨了Al GaN/GaN HEMT还存在的问题以及面临的挑战。
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- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管ALGAN微波晶体管功率
- SiO<Sub>2</Sub>/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法
- 一种SiO<Sub>2</Sub>/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN HEMT，包括：一衬底，在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极，该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层，制...
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- 文献传递
- 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法
- 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线...
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- 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法
- 本发明涉及半导体材料与器件制造领域，具体涉及利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法，其是在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层，然后涂覆抗蚀剂，利用光子束超衍射纳米加工技术，在抗蚀剂上曝光，显影，定影，形成栅足图...
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- 文献传递
