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铁宏安

作品数：5 被引量：5H指数：1
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合作作者

领域

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机构

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地区

  • 10个江苏省
  • 1个上海市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
张斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
施江伟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：赝配高电子迁移率晶体管 ANGEL TRIQUINT S参数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
洪伟
供职机构：东南大学
研究主题：介质基片 基片集成 基片集成波导 毫米波 半模基片集成波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 MMIC 功率放大器 单片集成电路 多倍频程
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翁长羽
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS_MMIC 高线性 单刀双掷开关 大功率开关 大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏倩
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：表面贴装封装 CMOS低噪声放大器 CDMA 半导体 高线性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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