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施江伟

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇赝配高电子迁...
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 1篇S参数
  • 1篇TRIQUI...
  • 1篇ANGEL

机构

  • 2篇东南大学
  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇李辉
  • 2篇铁宏安
  • 2篇洪伟
  • 2篇张斌
  • 2篇施江伟

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
改进的Triquint-Materka PHEMT模型
2006年
针对PHEM T器件的特点,在A nge lov模型和T riqu in t-M aterka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现。文章以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEM T器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
李辉洪伟张斌施江伟铁宏安
关键词：赝配高电子迁移率晶体管S参数
修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法
2005年
针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
李辉洪伟张斌施江伟铁宏安
关键词：赝配高电子迁移率晶体管
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共1页<1>
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