铁宏安
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 修正的Angelov模型及其ICCAP提取方法
- 2005年
- 针对南京电子器件研究所的PHEMT器件的特点,对Angelov模型进行了修正,并用ICCAP编写了模型的抽取程序,以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEMT器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
- 李辉洪伟张斌施江伟铁宏安
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管
- 2．1GHz CMOS低噪声放大器
- 2008年
- 采用上海华虹NEC0.35μm标准CMOS工艺进行RFCMOS窄带低噪声放大器的设计和制作。测试结果表明,在2.1GHz时,输入驻波比1.1,输出驻波比1.5,增益18dB,噪声系数2.7dB,P-1dB输出功率9dBm。
- 铁宏安李拂晓李向阳冯晓辉姚祥魏倩张斌翁长羽
- 关键词：射频低噪声放大器噪声系数
- 改进的Triquint-Materka PHEMT模型
- 2006年
- 针对PHEM T器件的特点,在A nge lov模型和T riqu in t-M aterka模型的基础上给出了一种新的模型,新的模型在直流特性和S参数拟合结果上都有很好的表现。文章以南京电子器件研究所的400μm栅宽、0.5μm栅长的PHEM T器件为例,给出了直流及S参数的拟合结果。
- 李辉洪伟张斌施江伟铁宏安
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管S参数
- 一种应用于GPS接收机的全单片CMOS低噪声放大器被引量：1
- 2009年
- 采用0.18μm1.8V mixed CMOS工艺设计并实现了一种应用于GPS接收机的CMOS低噪声放大器,采用片内螺旋电感实现输入匹配和单片集成。测试结果表明在1.575GHz时,工作电流8mA,增益20dB,噪声系数小于1.7dB,IIP3为-10dBm。
- 铁宏安
- 关键词：低噪声放大器噪声系数
- 用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数被引量：4
- 2004年
- 提出了一种改进的遗传算法 ,应用于提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 .改进的算法采用浮点编码连续突变 ,多种遗传操作合作运行 ,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象 ,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制 .在 0 .1～ 1 0 GHz范围内实现了精确、快速地提取 Ga As MESFET小信号等效电路参数 ,并可合理外推至 2 0 GHz,整个过程无需人工干预 .算法用 Matlab语言实现 ,可方便地应用于 HBT和HEMT以及无源元件电容。
- 张有涛夏冠群高建峰李拂晓铁宏安杨乃彬
- 关键词：遗传算法MESFETEEACC
