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刘玉贵

作品数：11 被引量：13H指数：2
供职机构：河北半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

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领域

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地区

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共 17 条 记 录，以下是 1-10
江泽流
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 铬
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗四维
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 铬
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王维军
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 GAAS器件 掩模版 电子束 铬
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭荣辉
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所
研究主题：单电子晶体管 库仑阻塞 量子点 铟 纳电子器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕苗
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MEMS 硅 MEMS开关 微机械 微电子机械系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵正平
供职机构：中国电子科技集团公司
研究主题：GAN 高电子迁移率晶体管 MEMS HEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武一宾
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室
研究主题：共振隧穿二极管 GAAS 分子束外延 RTD MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋旭波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氧化镓 场效应晶体管 肖特基二极管 电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹甲运
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 GAN 衬底 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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