赵正平
- 作品数：110 被引量：243H指数：8
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省科技计划项目石家庄市科学技术研究与发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术理学更多>>
- 考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真被引量：1
- 2010年
- 基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。通过与试验值的对比,该模型具有较高的精度,并且计算过程简单,可以用来指导器件结构和电路的设计。
- 姜霞赵正平张志国骆新江杨瑞霞冯志红
- 关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管解析模型自热效应
- 碳基纳电子的新进展被引量：2
- 2020年
- 集成电路技术进入后摩尔时代后,自下而上发展的分子电子学碳基纳电子的技术突破引起人们的高度关注。目前碳基纳电子的发展基于一维的碳纳米管和二维的石墨烯两种碳基材料。介绍了碳纳米管电子学、射频碳纳米管场效应晶体管(RF CNFET)、射频石墨烯FET(RF GFET)、GFET微波单片集成电路(MMIC)和石墨烯纳带(GNR)基逻辑电路等的发展来由和最新进展;包括碳基半导体特有的材料和工艺关键技术突破,抑制缺陷的新电路设计方法,CNFET与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的三维(3D)集成应用,晶圆规模的石墨烯外延材料制备,洁净石墨烯材料工艺,GFET混频器、放大器、THz探测器和弹道整流器等MMIC的设计与制备,石墨烯柔性电子学,石墨烯双极基逻辑电路的设计与制备,GNR制备以及GNR基逻辑电路的设计等。综述了碳基纳电子各方面的创新点和进步点,以及总体发展态势。
- 赵正平
- InGaAs纳电子学的进展被引量：1
- 2016年
- InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,沿着提高沟道In组分、缩小T型栅长、减少势垒层厚度和寄生电阻的技术路线发展。InGaAs太赫兹单片集成电路(TMIC)的工作频率达到1 THz,成为目前工作频率最高的晶体管。在后CMOS逻辑电路领域,InGaAs纳电子学以InGaAs MOSFET发展为主,沿着提高复合量子阱沟道中的In组分、缩小平面器件结构中的栅长、缩小立体器件结构中的鳍宽、减少埋栅结构中复合高k介质栅厚度、减少寄生电阻和在大尺寸Si晶圆上与Ge MOSFET共集成的技术路线发展。鳍宽为30 nm的InGaAs FinFET的亚阈值斜率(SS)为82 mV/dec,漏感生势垒降低(DIBL)为10 mV/V,最大跨导(g_(m,max))为1.8 mS/μm,导通电流(I_(ON))为0.41 mA/μm,关断电流(I_(OFF))为0.1μA/μm,其性能优于同尺寸的Si FinFET,具有成为后CMOS的7 nm节点后替代NMOSFET器件的潜力。
- 赵正平
- 关键词：纳电子学INGAASINAS
- 微机械电子隧穿传感器及其在航天技术中的应用
- 说明了电子隧穿传感器的工作原理;阐述了微机械电子隧穿红外探测器、微机械电子隧穿加速度计、微机械电子隧穿磁强计等典型的微机械电子隧穿传感器及其在航天技术中的巨大应用潜力和优势;最后介绍了我们在微机械电子隧穿红外探测器、微机...
- 杨拥军赵正平梁春广
- 关键词：微机械红外探测器加速度计磁强计陀螺仪航天技术
- 文献传递
- 铟量子点单电子晶体管
- 本文报道了一种新型的铟量子点单电子晶体管,利用电子束直写系统的高分辨率和分子束外延设备的高度可控生长的特性,在纳米电极间隙上生长铟量子点;由量子点充当单电子晶体管的库仑岛,构成了单岛和多岛结构的单电子晶体管,并得到了明显...
- 郭荣辉赵正平刘玉贵武一斌吕苗
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子点
- 文献传递
- 水银式微机械惯性开关制造方法
- 本发明公开了一种水银式微机械惯性开关制造方法,涉及传感器领域中的一种微机械开关器件装置的制造。它采用水银腔体中的水银珠在承受加速度时,当加速度达到一定阀值,水银珠通过沟道运动到空腔体中,接通电极,达到开关作用。本发明还具...
- 吕苗赵正平邹学锋
- 文献传递
- 纳电子的发展
- 微电子从20世纪70年代开始按照"摩尔定律"发展着：大约每24个月芯片的集成度上升1倍。进入21世纪，其特征尺寸已进入90 nm节点，标志着微电子进入一个新的纪元：发展了几十年的CMOS技术正在走向它...
- 赵正平
- 超宽禁带半导体Ga_2O_3微电子学研究进展(续)被引量：1
- 2019年
- 4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大。
- 赵正平
- 关键词：宽禁带半导体击穿场强GA2O3漏极电流
- 微电子封装在中国的发展趋势
- 本文从微电子封装的地位和作用出发,综述了中国电子封装分类、现状水平和发展趋势,并提出了发展中国电子封装的设想。
- 高尚通赵正平
- 关键词：微电子封装金属封装陶瓷封装塑料封装
- 文献传递
- 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展被引量：9
- 2011年
- 固态微波毫米波、太赫兹器件与电路是微电子、纳电子领域的战略制高点之一,SiCMOS技术进入纳米加工时代,GaAs,InP材料的"能带工程"(超晶格、异质结),GaN材料的宽禁带和界面特性以及石墨烯纳米级新材料的创新发展都深刻影响着固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的进展。描述了固态微波、毫米波和太赫兹器件与电路当前发展的新亮点,包括纳米加工技术、石墨烯新材料、GaN MMIC功率合成突破3 mm频段百瓦级、三端器件进入太赫兹和两端器件倍频链突破2.7 THz微瓦功率。并重点就当前发展的RF CMOS,SiGe HBT,LDMOS,GaAsPHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN HEMT,GFET和THz倍频链等10个领域的发展特点、2011年最新发展以及未来发展趋势进行介绍。
- 赵正平
- 关键词：固态微波毫米波太赫兹高电子迁移率晶体管
