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罗四维

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 4篇刻蚀
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇电子束
  • 3篇掩模
  • 3篇掩模版
  • 3篇GAAS器件
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光技...
  • 2篇电子束直写
  • 2篇亚半微米
  • 2篇制版
  • 2篇制版技术
  • 2篇微米
  • 2篇铬
  • 1篇电子束抗蚀剂
  • 1篇砷化镓
  • 1篇抗蚀剂
  • 1篇T型栅
  • 1篇T形栅

机构

  • 6篇河北半导体研...

作者

  • 6篇王维军
  • 6篇罗四维
  • 6篇刘玉贵
  • 6篇江泽流

传媒

  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2002
  • 2篇2001
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
亚半微米铬掩模版制作技术研究
介绍用Leica VB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4″铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术.
王维军罗四维江泽流刘玉贵
关键词：亚半微米电子束抗蚀剂干法刻蚀
文献传递
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用被引量：1
2002年
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
刘玉贵王维军罗四维江泽流
关键词：电子束曝光技术GAAS器件
电子束直写直栅和T型栅工艺技术应用
介绍用EBL(E-Beam Lithography)技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅条的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用.
刘玉贵王维军罗四维江泽流
关键词：电子束曝光技术T型栅
文献传递
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
介绍用光学设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,而用高分辨率的电子束设备制作线宽不大于0.5um、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术.
罗四维王维军江泽流刘玉贵
关键词：电子束GAAS器件干法刻蚀
文献传递
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用被引量：1
2003年
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。
罗四维王维军江泽流刘玉贵
关键词：电子束GAAS器件掩模版干法刻蚀砷化镓
亚半微米铬掩模版制作技术研究被引量：1
2002年
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
王维军罗四维江泽流刘玉贵
关键词：亚半微米干法刻蚀掩模版
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