您的位置: 专家智库 > >

孙正地

作品数:1 被引量:18H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 4个电子电信
  • 3个自动化与计算...
  • 3个理学
  • 1个经济管理
  • 1个天文地球
  • 1个动力工程及工...
  • 1个文化科学
  • 1个自然科学总论

主题

  • 4个导通
  • 4个导通电阻
  • 4个低压
  • 4个电路
  • 4个电阻
  • 4个氧化层
  • 4个氧化层厚度
  • 4个优化设计
  • 4个特征导通电阻
  • 3个电压
  • 3个电阻率
  • 3个数学模型
  • 3个特征电阻
  • 2个电流
  • 2个电流-电压特...
  • 2个电压分析
  • 2个电压特性
  • 2个双极晶体管
  • 1个带隙电压基准
  • 1个带隙基准

机构

  • 4个辽宁大学
  • 1个北京美新华微...

资助

  • 2个辽宁省教育厅...
  • 2个辽宁省科技厅...
  • 2个沈阳市科技局...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个辽宁省高等学...
  • 1个沈阳市科技攻...

传媒

  • 4个微电子学与计...
  • 4个辽宁大学学报...
  • 2个微处理机
  • 1个物理学报
  • 1个冶金能源
  • 1个传感技术学报
  • 1个微电子学
  • 1个中国集成电路
  • 1个实验室科学
  • 1个现代物理
  • 1个第四届全国掺...

地区

  • 4个辽宁省
4 条 记 录,以下是 1-4
石广源
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:特征导通电阻 VDMOSFET 噪声 物理模型 FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高嵩
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 特征导通电阻 导通电阻 击穿电压 保护环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王中文
供职机构:辽宁大学物理学院
研究主题:VDMOSFET 特征导通电阻 导通电阻 功率VDMOSFET 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张颖
供职机构:辽宁大学
研究主题:VDMOSFET 氧化层厚度 终端 导通电阻 FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
聚类工具0