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冯春

作品数：63 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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肖红领
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 成核 迁移率 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜丽娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 势垒 高电子迁移率晶体管 托盘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王翠梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 迁移率 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李巍
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：温度均匀性 氮化镓 托盘 高电子迁移率晶体管 旋转轴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王权
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：温度均匀性 托盘 氮化镓 旋转轴 光生载流子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷海波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金属有机物 托盘 MOCVD 温度均匀性 流场
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭恩超
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 铝镓氮 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冉军学
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氮化镓 GAN 金属有机物 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宏新
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 氮化镓 GAN RF-MBE 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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