王翠梅
- 作品数：102 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术文化科学金属学及工艺更多>>
- 生长氮化铟单晶薄膜的方法
- 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
- 王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 文献传递
- 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
- 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底为蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制...
- 王晓亮王翠梅胡国新王军喜李建平曾一平李晋闽
- 文献传递
- AlGaN/GaN异质结气体传感器对低体积分数CO的响应研究被引量：1
- 2008年
- 研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于体积分数为2×10-4～10-3的CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件对于低至体积分数2×10-4的CO仍表现出了明显的响应(电流增大0.7mA),随着CO体积分数的升高,器件的电流变化愈加明显,但在反向偏压下,通入CO气体对器件的电流大小无明显影响。对器件在不同体积分数CO下的灵敏度与外加偏压的关系也进行了研究,在正向偏压下,器件的灵敏度随着CO体积分数的升高而增大。当CO气体撤消时,器件表现出了迅速的恢复性能,2V的恒定电压下,器件的恢复速度约为3mA/min。
- 冯春王晓亮杨翠柏肖红领王翠梅侯奇峰马泽宇王军喜李晋闽王占国侯洵
- 关键词：ALGAN-GAN肖特基气体传感器氧化碳
- T-ZnOw高分子复合材料逾渗行为的模拟与研究被引量：1
- 2010年
- 从T-ZnOw独特的空间结构出发,建立了T-ZnOw高分子复合材料的新型三维点阵模型,利用Monte Carlo方法对该系统的逾渗导通行为进行了模拟,得到点阵逾渗阈值为23.2%。结合实际计算获得了T-ZnOw的临界掺入比例,与文献报道的结果基本吻合。计算表明临界掺入比例主要取决于T-ZnOw的长径比,并与晶须尺寸以及复合材料制备工艺有关。
- 马泽宇王晓亮王翠梅肖红领杨翠柏
- 关键词：T-ZNOW逾渗复合材料
- Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
- 2007年
- 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.
- 马志勇王晓亮胡国新肖红领王翠梅冉军学李建平
- 关键词：ALGAN/ALN/GAN金属有机物化学气相沉积高电子迁移率晶体管
- 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
- 本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂...
- 王翠梅王晓亮彭恩超肖红领冯春姜丽娟陈竑
- 文献传递
- SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制被引量：1
- 2007年
- 用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.
- 王晓亮王翠梅胡国新马志勇肖红领冉军学罗卫军唐健李建平李晋闽王占国
- 关键词：ALGAN/GANMOCVD功率器件碳化硅衬底
- 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
- 一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...
- 王晓亮王翠梅肖红领彭恩超冯春姜丽娟陈竑
- 文献传递
- 第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展被引量：5
- 2014年
- 微波功率器件是指工作频段在300M～300GHz这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第l代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAS）、磷化铟（InP）。20世纪90年代，基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）的高频、大功率微波器件开始引起人们的关注，并在近十几年快速发展，尤其是基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）器件和电路，已经开始在某些领域取代GaAs器件。
- 王丽王翠梅
- 关键词：宽禁带半导体材料微波功率器件GAN材料高电子迁移率晶体管大功率微波器件GAAS器件
- 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
- 一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接...
- 康贺王晓亮肖红领王翠梅冯春姜丽娟殷海波崔磊
