您的位置： 专家智库 > >

姜丽娟

作品数：66 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学经济管理金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 3篇经济管理
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇氮化镓
  • 17篇晶体管
  • 13篇势垒
  • 12篇迁移率
  • 11篇铝镓氮
  • 11篇半导体
  • 9篇电极
  • 9篇金属
  • 8篇导体
  • 8篇电子迁移率
  • 8篇托盘
  • 8篇稀磁半导体
  • 8篇高电子迁移率
  • 8篇高电子迁移率...
  • 7篇异质结
  • 7篇势垒层
  • 7篇迁移
  • 7篇温度均匀性
  • 7篇均匀性
  • 6篇缓冲层

机构

  • 66篇中国科学院
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 66篇姜丽娟
  • 63篇肖红领
  • 59篇王晓亮
  • 50篇冯春
  • 29篇王翠梅
  • 25篇李巍
  • 23篇王权
  • 14篇殷海波
  • 7篇彭恩超
  • 6篇冉军学
  • 6篇刘宏新
  • 4篇刘超
  • 4篇崔磊
  • 3篇李建平
  • 3篇胡国新
  • 2篇侯洵
  • 2篇毕杨
  • 2篇王占国
  • 2篇张明兰
  • 2篇唐健

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 7篇2023
  • 6篇2022
  • 9篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 66 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于ALGAN/GAN异质结的新型电力电子器件研究
随着新一代电力电子系统对电力电子器件提出了越来越高的要求，基于GAN材料的新型电力电子器件逐渐成为当前世界上的研究热点。本文对GAN基新型电力电子器件的研究意义和现状进行了评述，同时还介绍了我们组几年来在该领域所取得的一...
肖红领王晓亮王翠梅姜丽娟林德峰康贺王占国侯洵
关键词：GAN电力电子
文献传递网络资源链接
一种制备稀磁半导体薄膜的方法
本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获...
王晓亮姜丽娟刘超肖红领冉军学王翠梅
文献传递
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮...
王晓亮张明兰肖红领王翠梅唐健冯春姜丽娟
过渡族和稀土族元素掺杂GaN基稀磁半导体性能比较
2008年
实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型GaN薄膜表面分别注入Mn、Cr、Gd、Sm离子,得到了厚度约200nm的稀磁半导体薄膜,并用XRD、RBS、SQUID对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析。结果表明,稀土族元素Gd、Sm掺杂的GaN样品在掺杂浓度远低于过渡族Mn、Cr掺杂样品的情况下,仍能得到相同量级的饱和磁化强度,计算得到的Gd、Sm离子有效磁矩近似甚至大于其原子本征磁矩,而Mn、Cr的离子有效磁矩远小于其原子本征磁矩,说明在过渡族和稀土族元素掺杂的GaN基稀磁半导体中,有着两种完全不同的磁耦合机制。
姜丽娟王晓亮王翠梅肖红领冉军学李晋闽王占国侯洵
关键词：稀磁半导体氮化镓离子注入快速退火
晶圆的室温等静压金属键合方法
本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真...
王晓亮郭芬肖红领王权姜丽娟冯春王茜李巍刘宏新
基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法
一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；一欧姆接...
康贺王晓亮肖红领王翠梅冯春姜丽娟殷海波崔磊
加热托盘的固定控制装置及其设备
本发明公开了一种加热托盘的固定控制装置及其设备。其中，加热托盘的固定控制装置包括：旋转轴；螺旋加热丝，设置于旋转轴外围，与旋转轴之间存在间隔；托盘，位于旋转轴正上方；以及铁磁体，固定于托盘内，位于托盘中央区域。通过在旋转...
王晓亮梅书哲肖红领王权殷海波李巍姜丽娟
一种制备稀磁半导体薄膜的方法
本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获...
王晓亮姜丽娟刘超肖红领冉军学王翠梅
文献传递
源输送混合比可调气路装置
本发明提供了一种源输送混合比可调气路装置。该源输送混合比可调气路装置包括：载气主管路，其入口连接至载气源；M个气动阀门，其出口分别连接至薄膜沉积腔室中的M个生长位置；以及N路的源载气混合管路，对于该N路源载气混合管路中的...
王晓亮肖红领陈竑殷海波冯春姜丽娟
用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘
本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括：上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔‑第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，...
王晓亮殷海波肖红领姜丽娟冯春
文献传递
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0