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汤益丹

作品数：126 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

领域

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机构

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资助

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  • 2个中国科学院知...
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传媒

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地区

  • 21个北京市
  • 1个湖南省
  • 1个四川省
共 23 条 记 录，以下是 1-10
白云
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 微波等离子体 肖特基二极管 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨成樾
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 肖特基二极管 微波等离子体 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 SIC 沟槽 源极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
申华军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 刻蚀 欧姆接触 INGAP/GAAS_HBT 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周静涛
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：肖特基二极管 硅基 钝化层 肖特基 太赫兹
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘焕明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：钝化层 SUB 硅基 离子注入工艺 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李博
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SRAM 二次谐波 绝缘体上硅 背栅 反相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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