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武继斌

作品数:11 被引量:24H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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地区

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17 条 记 录,以下是 1-10
刘帅
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:功率放大器 MMIC 信号 屏蔽层 单片微波集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯威
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:功率放大器 微波单片集成电路 MMIC 放大器技术 INGAP/GAAS_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡志富
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:太赫兹 测试夹具 校准 HEMT 微波功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志国
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:ALGAN/GAN HFET HEMT GAN 可变电容
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡道民
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:单片集成 功率附加效率 功率放大器 偏置电路 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨克武
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:HFET 微波器件 内匹配 X波段 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张书敬
供职机构:河北工业大学信息工程学院
研究主题:PHEMT MMIC 微波集成电路 砷化镓场效应晶体管 X波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔玉兴
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:谐振器 衬底 半导体 腔体 压电层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡树军
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波器件 GAN SIC_MESFET MMIC 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方家兴
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:双极型晶体管 偏置电路 双极型 功率放大器 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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