冯威
- 作品数：11 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 7～8 GHz单片集成高功率氮化镓功率放大器被引量：3
- 2018年
- 基于GaN HEMT工艺研制了一款频率覆盖范围为7～8 GHz、输出功率为80 W的高性能大功率放大器。根据输出功率的要求,确定功率输出级器件的栅宽为12 800μm;采用三级放大结构,保证了电路的增益和带宽要求;同时1:3:21的3级器件栅宽比提高了电路的功率附加效率。基于最优效率原则优化了大功率放大器各级匹配网络的参数。电路设计过程中充分地考虑了大功率放大器容易出现的各种稳定性问题,并采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的功率放大器芯片的尺寸为3.8 mm×4.1 mm。当芯片在栅压为-2 V、漏压为38 V的条件下测试时,输出功率达到了80 W以上,功率附加效率大于40%。严格的稳定性测试,保证了电路能够稳定、可靠地工作。
- 游恒果冯威倪帅
- 关键词：微波单片集成电路功率放大器
- InGaP/GaAs HBT功率放大器的键合线匹配技术
- 2009年
- 射频集成电路的性能很大程度受到封装的影响,与集成电路设计和制造工艺相比,封装技术并没有受到相应的关注。用一种新的键合线匹配功率放大器(PAM)的方法,利用封装寄生参数进行电路匹配设计,消除了封装的负面影响,并进行了试制验证;电路芯片采用InGaP/GaAs HBT工艺制作并使用了16引脚微小引线框架(MLP)封装。无需芯片外表面贴装电容和电感,实现了功率放大器的低损耗输出阻抗匹配,节省了宝贵的线路板空间。电路测试指标很好地达到了设计要求,证明了该技术的可行性,为高性能、低成本射频功率放大器的开发提供了新的思路。
- 冯威刘健
- 关键词：功率放大器键合线阻抗匹配无线通信异质结双极晶体管
- 半导体微波集成电路及其功率放大装置
- 本发明涉及放大器技术领域，提供了一种半导体微波集成电路及其功率放大装置。该功率放大装置包括：输出匹配网络，与所述第一输出端连接；高功率放大单元，信号输入端与所述第一输入端电连接，信号输出端通过所述输出匹配网络与所述第一输...
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- 文献传递
- 一种工作模式可切换的功率放大器
- 本发明公开了一种工作模式可切换的功率放大器，包括：输入模块、第一开关模块、小功率放大模块、第二开关模块、大功率放大模块和输出模块。在脉冲工作模式，第一开关模块和第二开关模块断开，大功率放大模块采用脉冲信号加电并对输入信号...
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- 文献传递
- 5 W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC(英文)被引量：2
- 2010年
- 通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路。该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320μm2,1280μm2,5760μm2,芯片内部包括了输入、输出50Ω匹配电路,面积仅为1.9mm×2.1mm。放大器采用5V单电源供电,在2.4～2.5GHz频率范围内线性增益为27dB,2dB增益压缩点输出饱和功率达到37dBm,功率附加效率为46%。
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- 关键词：功率放大器ISM波段HBTMMIC
- X波段12W GaAs功率放大器MMIC被引量：1
- 2016年
- 基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。
- 冯威倪帅
- 关键词：X波段
- 覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器
- 本发明公开了一种覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括多级放大电路，前级有源器件与后级有源器件之间通过匹配网络进行连接，所述匹配网络包括电容C1‑C4、电阻R1以及电感L1，...
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- W波段InP HEMT MMIC功率放大器被引量：6
- 2016年
- 基于InGaAs/InAlAs/InPHEMT设计制作了一款W波段功率放大器芯片。采用分子束外延技术生长了材料结构经过优化设计的InPHEMT外延材料,采用电子束光刻和三层胶工艺制作有源器件的超深亚微米T型栅,并采用神经网络模型对器件进行精确建模。电路采用4级级联提高电路的增益,末级采用4胞并联器件有效地分散热源。采用全波电磁场仿真技术设计电路版图有效降低芯片内部的电磁耦合。芯片采用在片脉冲测试,测试结果显示,在脉宽为10μs、占空比为10%、栅压为-0.15V和漏极电压为2V条件下,92~97GHz频率内功率放大器的小信号增益大于15dB,频率为94GHz时的输出功率达到300mW。
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- 关键词：W波段功率放大器INPHEMT
- 2-18 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器被引量：7
- 2016年
- 基于0.25μm GaN双场板（DFP）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款2-18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成电路（MMIC）。MMIC中的功率器件采用源场板接地减少强电场引起的功率器件退化,提高了功率器件的击穿电压,并提取了功率器件的可定标大信号器件模型参数;基于非均匀分布式结构,利用ADS软件分别优化MMIC中10个功率器件的最佳栅宽和负载阻抗,MMIC的输入输出匹配阻抗为50Ω;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为4.9 mm×2.4 mm。在栅压（Vgs）为-2.4 V、漏压（Vds）为28 V、输入功率（Pin）为30 d Bm的条件下,MMIC在2-18 GHz频带内连续波饱和输出功率大于40 d Bm,功率附加效率大于25%。
- 冯威刘帅张斌
- 5．8GHz CMOS混频器设计被引量：5
- 2008年
- 介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。
- 任怀龙默立冬吴思汉陈兴冯威廖斌吴洪江
- 关键词：CMOS混频器转换增益线性度
