刘帅
- 作品数：54 被引量：33H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 势垒层注入氢离子的AlGaN/GaN LDD-HEMT设计与仿真
- 2018年
- 普通结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受漏极高压影响,器件沟道内的电场线在栅电极附近不断汇聚,最终导致AlGaN/GaN HEMT器件提前击穿。为了提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐电压能力和沟道电场均匀性,先建立漏极离子轻掺杂(LDD)结构的AlGaN/GaN HEMT模型,在势垒层中引入带负电荷的氟离子会降低沟道内的正极化电荷,形成类似于"栅场板"结构,以增加导通电阻为代价降低栅电极附近沟道内电场峰值。之后在漏极附近势垒层进行氢离子注入,来补偿LDD结构输出特性的损失,并进一步均匀沟道电场分布,提高AlGaN/GaN HEMT器件的耐压特性。最终设计的AlGaN/GaN HEMT器件导通电阻为0. 766 mΩ·cm2,击穿电压为1 176 V。
- 杨鹏杨琦刘帅
- 一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法
- 本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括：多个依次串联的延时模块；每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元，其...
- 高显侯伦刘帅武世英郭丰强刘海峰苏辰飞梁家铖刘方罡王杰高晓冲李帅苏鹏生李艳玲胡占祥
- 一种波导滤波器
- 本发明公开了一种波导滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一通孔；中间支撑层，为框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第二通孔，设置于所述中间支撑层上，与第一屏蔽层和中间支撑层共同构成波导腔，第二屏蔽层的左端设...
- 张韶华王胜福李宏军汪晓龙王小维刘帅周伟张梓福
- 文献传递
- 焊料清除工装
- 本发明提供了一种焊料清除工装，属于内导体加工技术领域，焊料清除工装包括：机架、第一夹持装置、驱动件、第二夹持装置、控制组件和磨削装置。驱动件与第一夹持装置传动连接，用于带动第一夹持装置转动。第二夹持装置与第一夹持装置间隔...
- 杨树国左国森张辉韩康达孙涛李焰峰刘帅赵玮胡文浩张超胡惠东谢娜赵亚梦
- 文献传递
- 一种多枝节滤波器
- 本发明公开了一种多枝节滤波器，包括：第一屏蔽层，上设有第一排胶结构，第一屏蔽层包括中间体和枝节体，枝节体的一端与所述中间体相连；中间支撑层，为与第一屏蔽层的结构相同的框架结构，设置于所述第一屏蔽层上；第二屏蔽层，上设有第...
- 张韶华王胜福李宏军汪晓龙王小维刘帅周伟张梓福
- 文献传递
- V波段3W GaN功率放大器MMIC被引量：3
- 2021年
- 以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容和薄膜电阻进行偏置网络设计,实现稳定工作和低损耗输出。经测试,在55~65 GHz频带内,漏极工作电压+20 V、栅极工作电压-2.3 V的偏置条件下,在占空比20%、脉宽100μs脉冲状态时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到3 W以上,功率附加效率达到22%;连续波状态时,其饱和输出功率达到2.5 W以上,60 GHz时最高功率达到3 W。
- 刘如青刘帅高学邦付兴中
- 关键词：V波段氮化镓功率放大器连续波
- 一种限幅低噪声放大器芯片结构
- 本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述限幅低噪声放大器芯片结构包括：限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上...
- 任健刘帅白银超戴剑王磊赵瑞华潘海波崔亮刘飞飞杨琦杨丹丹谷腾飞李佩姿
- 文献传递
- 一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点
- 本发明适用于倒装芯片技术领域，提供了一种制备钉头凸点的方法及钉头凸点。其中，所述方法包括：在金属丝的尾端熔出第一金属球；将所述第一金属球焊接在载体上的预设位置，形成第一凸点；在所述金属丝与所述第一凸点的连接处熔出第二金属...
- 杨彦锋王磊徐达张延青张卫青赵瑞华刘帅王凯冯涛陈然韩玉鹏刘乐乐
- 文献传递
- 一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法
- 本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串...
- 陈然刘帅赵瑞华戴剑崔亮梁廷敬宋学峰王凯陈南庭王海龙杨琦成立鑫王晟王飞
- 一种高频肖特基二极管及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电...
- 宋旭波冯志红吕元杰梁士雄张立森许婧游恒果刘帅刘京亮刘桢盛百城
