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柏松

作品数:80 被引量:122H指数:6
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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地区

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陈刚
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李哲洋
供职机构:南京大学
研究主题:4H-SIC SIC_MESFET MESFET SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张涛
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC_MESFET 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 MESFET 微波功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪浩
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:SIC_MESFET 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 碳化硅 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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