2024年12月4日
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张甲阳
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西安电子科技大学
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电气工程
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
张义门
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郭辉
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张睿
西安电子科技大学
王德龙
西安电子科技大学
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张玉明
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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张义门
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
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王德龙
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MOS电容 样片 化学气相淀积 冷处理 光刻版
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张睿
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MOS电容 样片 化学气相淀积 冷处理 软件无线电
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郭辉
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
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供职机构:宁波大红鹰学院
研究主题:4H-SIC 本征缺陷 淀积 MOS电容 样片
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供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MESFET 4H-SIC 大信号模型 射频 大信号
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供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 半导体器件 MESFET 参数提取方法 源区
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郑少金
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MESFET 4H-SIC 埋栅 半导体场效应晶体管 绝缘
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