张义门
- 作品数：359 被引量：454H指数：11
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- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 微型核电池制作方法
- 本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(...
- 张林郭辉张义门韩超张玉明
- 文献传递
- 一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法被引量：1
- 2000年
- 提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.
- 乔瑛张义门张玉明
- 关键词：MOS器件模拟电路集成电路
- InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法
- 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台...
- 吕红亮张静杨施政张义门张玉明
- 高采样率宽带跟踪保持电路
- 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输...
- 吕红亮李少军杨施政张义门张玉明武岳
- 利用SiC：Ge形成SiC欧姆接触中间层
- ＜正＞利用中间层在欧姆接触界面形成梯度势垒,即把原来的一个高势垒通过中间层的存在分成两个或者更多的势垒。除了采用合金化退火的方法来形成中间合金相,还可以通过在 SiC 表面淀积能和金属形成良好欧姆接触的窄带半导体（如 I...
- 郭辉张义门张玉明
- 文献传递
- 高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法
- 本发明公开了一种高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属(1)、衬底(2)、GaAs缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、ZnO钝...
- 刘琛吕红亮杨彤张玉明张义门
- 文献传递
- SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究被引量：1
- 2010年
- 由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有效的表征显得尤为重要。基于阴极荧光(CL)的工作原理对4H-SiC同质外延材料的晶体缺陷进行了无损测试研究。结果发现利用阴极荧光可以观测到晶体内部的堆垛层错、刃位错和螺位错以及基面位错,其阴极荧光图中的形貌分别为直角三角形、点状和短棒状。因此该方法成为SiC晶体缺陷的无损表征时的一种有效的测试方法。如果利用该方法对材料的衬底和外延层缺陷分别进行观测就能建立起衬底和外延层缺陷之间的某种联系,另外对器件工作前后的缺陷进行表征,建立器件工作前后缺陷之间的联系,就可以进一步地研究材料缺陷对器件性能影响的问题。
- 苗瑞霞张玉明汤晓燕张义门
- 关键词：4H-SIC
- 基于超级结的碳化硅MOSFET器件及制备方法
- 本发明公开了一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件，主要解决现有技术中碳化硅MOSFET器件在低导通电阻时击穿电压难以提高的问题。它包括栅极(1)、SiO<Sub>2</Sub>氧化物介质(2)、源极(3)、N<Sup>...
- 汤晓燕元磊张玉明张义门王文杨飞
- 文献传递
- 基于晶体管的高速D触发器
- 本发明公开了一种基于晶体管器件的高速D触发器，主要解决现有D触发器相位噪声高和工作频率低的问题。其主要由第一锁存器（1）、第二锁存器（2）、预置电路（3）、第一电流源电路（4a）和第二电流源电路（4b）组成。由差分电路构...
- 吕红亮刘一峰张金灿张义门张玉明周威
- 文献传递
- 4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究
- 碳化硅以其优越的材料性能在功率器件领域得到广泛的研究和应用,同时混合PiN/Schottky二极管(MPS)是一种理想的整流器件。针对4H-SiCMPS器件设计并优化了一种带有偏移场板的场限环和结终端扩展的复合型终端结构...
- 黄健华吕红亮张玉明张义门汤晓燕陈丰平宋庆文
- 关键词：4H-SIC结终端技术
