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王德龙

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 5篇淀积
  • 5篇样片
  • 5篇气相淀积
  • 5篇冷处理
  • 5篇化学气相淀积
  • 5篇MOS电容
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻版
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇态密度
  • 2篇条纹
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度
  • 2篇划痕
  • 2篇硅
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇丙烷
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅衬底

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇王德龙
  • 8篇郭辉
  • 8篇张义门
  • 8篇张玉明
  • 6篇张甲阳
  • 6篇张睿
  • 5篇程萍
  • 2篇王党朝
  • 2篇汤晓燕
  • 2篇王悦湖
  • 1篇吕红亮
  • 1篇郑少金

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 5篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种制作SiC MOS电容的方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO<Sub>2</Sub>；对氧化后的样片，依次完...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张甲阳张睿
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低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>到SiC外延层中后，再将Al<...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张睿张甲阳
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金属－半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种在碳化硅中形成的金属－半导体场效应晶体管，主要解决器件制作过程中在表面形成的表面陷阱问题。该晶体管包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极...
吕红亮张睿张玉明张义门郭辉郑少金王德龙张甲阳
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低界面态密度的SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>离子到外延...
郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳
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4H－SiC硅面外延生长石墨烯的方法
本发明公开了一种4H－SiC硅面外延生长石墨烯的方法，主要解决4H－SiC硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题其方法是：对4H－SiC硅面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气和...
张玉明郭辉王党朝张义门汤晓燕王悦湖王德龙
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一种制作SiC MOS电容的方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO<Sub>2</Sub>；对氧化后的样片，依次完...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张甲阳张睿
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4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法
本发明公开了一种4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法，主要解决4H-SiC硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题其方法是：对4H-SiC硅面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气和...
张玉明郭辉王党朝张义门汤晓燕王悦湖王德龙
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低界面态密度的SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>离子到外延...
郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳
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