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张甲阳

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 5篇淀积
  • 5篇样片
  • 5篇气相淀积
  • 5篇冷处理
  • 5篇化学气相淀积
  • 5篇MOS电容
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻版
  • 2篇态密度
  • 2篇碳化硅
  • 2篇界面态
  • 2篇界面态密度
  • 2篇4H-SIC
  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇平带电压
  • 1篇自定义
  • 1篇金属
  • 1篇金属-半导体...

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇张甲阳
  • 7篇张义门
  • 7篇张玉明
  • 6篇王德龙
  • 6篇张睿
  • 6篇郭辉
  • 5篇程萍
  • 1篇吕红亮
  • 1篇曹全君
  • 1篇郑少金

年份

  • 3篇2010
  • 4篇2009
  • 1篇2007
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
低界面态密度的SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>离子到外延...
郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳
文献传递
一种制作SiC MOS电容的方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO<Sub>2</Sub>；对氧化后的样片，依次完...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张甲阳张睿
文献传递
一种制作SiC MOS电容的方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO<Sub>2</Sub>；对氧化后的样片，依次完...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张甲阳张睿
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低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>到SiC外延层中后，再将Al<...
郭辉张玉明王德龙张义门程萍张睿张甲阳
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4H-SiC PiN二极管开关特性研究
SiC PiN二极管由于具有可控功率大、插入损耗小以及开关速度快等优点,在开关电路、限幅器、移相器、衰减器等控制电路中广泛应用。 本文通过建立SiC PiN的器件模型模拟了台面结构的4H-SiC PiN二极管...
张甲阳
关键词：碳化硅PIN二极管开关时间
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金属－半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种在碳化硅中形成的金属－半导体场效应晶体管，主要解决器件制作过程中在表面形成的表面陷阱问题。该晶体管包括：半绝缘型碳化硅衬底(1)、p型碳化硅缓冲层(2)、n型碳化硅导电沟道层(3)、n+盖帽层(5)，源极...
吕红亮张睿张玉明张义门郭辉郑少金王德龙张甲阳
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4H-SiCMESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现
＜正＞4H-SiC MESFET 具有宽禁带、高功率密度、高热导率以及较宽的带宽等优点,在相控阵雷达、下一代通信基站、空间飞行器等领域具有广阔的应用潜力,日益受到广泛的关注。4H-SiC MESFET 大信号模型是利用 ...
曹全君张义门张玉明张甲阳
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低界面态密度的SiC MOS电容制作方法
本发明公开了一种低界面态密度的SiC MOS电容制作方法，主要解决SiC/SiO<Sub>2</Sub>界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N－SiC外延材料进行清洗处理；离子注入N<Sup>+</Sup>离子到外延...
郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳
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