2024年12月4日
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庞炳远
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中国电子科技集团公司
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索开南
中国电子科技集团公司第四十六研...
闫萍
中国电子科技集团公司第四十六研...
张伟才
中国电子科技集团公司
杨洪星
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杨静
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索开南
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 少子寿命 硅 区熔硅单晶 SI单晶
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张伟才
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶片 晶片 硅片
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杨洪星
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:锗 单晶片 抛光片 晶片 表面粗糙度
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闫萍
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 高阻 少子寿命
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杨静
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:晶片 锗 单晶片 削片 损伤层
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张殿朝
供职机构:天津工业大学
研究主题:区熔 少子寿命 硅单晶 区熔硅单晶 数值模拟
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闫萍
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:加热线圈 硅单晶生长 单晶生长 少子寿命 硅
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韩焕鹏
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:硅单晶 锗 单晶炉 晶片 单晶片
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董军恒
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:电阻率 均匀性 区熔 少子寿命 FZ
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赵权
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:单晶片 锗 锗单晶 晶片 抛光片
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