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杨静

作品数：30 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 12篇单晶
  • 12篇晶片
  • 6篇硅单晶
  • 4篇单晶片
  • 4篇损伤层
  • 4篇抛光片
  • 4篇削片
  • 4篇锗
  • 3篇直接键合
  • 3篇砂轮
  • 3篇化学腐蚀
  • 3篇机械研磨
  • 3篇激光
  • 3篇键合
  • 3篇硅单晶抛光片
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶炉
  • 2篇电特性
  • 2篇形貌
  • 2篇压电特性

机构

  • 29篇中国电子科技...

作者

  • 29篇杨静
  • 25篇杨洪星
  • 21篇张伟才
  • 18篇韩焕鹏
  • 14篇庞炳远
  • 13篇索开南
  • 9篇赵权
  • 2篇曹亮
  • 2篇于妍
  • 1篇高丹

传媒

  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇2008促进...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2008
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法
本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体...
韩焕鹏杨洪星陈晨何远东杨静范红娜庞炳远王雄龙张伟才
文献传递
一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
索开南杨洪星张伟才庞炳远李聪陈晨杨静王雄龙郑万超
一种变R值晶片边缘倒角方法
本发明涉及一种变R值晶片边缘倒角方法，步骤为首先进行砂轮设计，针对半导体晶片的厚度设计一个具有三种R值的砂轮，其余槽可以根据需要进行设计；其次将砂轮安装到全自动倒角机上；再次进行边缘初步成型是使用半径为R1的槽对晶片进行...
杨洪星刘玉岭范红娜韩焕鹏何远东陈晨陶术鹤赵权杨静
文献传递
磷酸镓晶体压电特性初探
本文通过磷酸镓(GaPO4)和钽酸锂(LiTaO3)上的滤波器对比测试,间接推算出GaPO4基片的的机电耦合系数、相对介电常数、SAW速度。最后通过滤波器的高低温动态性能测试出了GaPO4的频率温度曲线。
曹亮杨静
关键词：磷酸镓压电特性钽酸锂滤波器介电常数
文献传递
一种铌酸锂单晶的变速切割方法
本发明公开了一种铌酸锂单晶的变速切割方法。基本步骤为：1、用胶水粘接铌酸锂单晶，保证晶向在合格范围内；2、聚乙二醇和碳化硅微粉按照一定比例配置成切割砂浆；3、将粘接好的铌酸锂单晶放入多线切割机的工作台工位中，将工作台的匀...
王雄龙杨洪星张伟才杨静李聪陈晨索开南庞炳远
文献传递
一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法
本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗...
杨静韩焕鹏张伟才王雄龙于妍杨洪星陈晨李聪索开南
在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺...
陈晨杨洪星索开南李聪庞炳远杨静王雄龙张伟才赵权
文献传递
一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
索开南杨洪星张伟才庞炳远李聪陈晨杨静王雄龙郑万超
文献传递
一种磷化铟晶片加工方法
本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在<Image file="DEST_PATH_IMAGE002.GIF" he="19" i...
索开南杨洪星韩焕鹏张伟才庞炳远徐聪王雄龙杨静陈晨
文献传递
晶片厚度测试仪的测量能力指数探讨被引量：1
2019年
以电容法厚度测试仪器为例,分析了厚度标准样片、重复性、环境温度变化以及厚度公差对测量能力指数的影响。结果表明,尽可能地降低测试环境的温度变化、选用高质量的厚度标准样片能够使得厚度测试仪器具有较高的测量能力指数;最后对准确表征厚度测试仪器的测试能力指数给出了建议。
杨洪星杨静张颖武韩焕鹏
关键词：晶片扩展不确定度
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