索开南
- 作品数：46 被引量：48H指数：3
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
- 文献传递
- 气相掺杂区熔硅单晶的掺杂剂量计算方法研究被引量：1
- 2013年
- 随着电力电子技术的发展,对高品质低阻高寿气相掺杂区熔硅单晶的需求越来越紧迫,欧美主要国家的气相掺杂区熔硅单晶生长技术已经趋于成熟,而我国还处于起步阶段。主要从理论方面分析气相掺杂过程PH3进入晶体中的方式和过程,并对掺入量的计算过程进行了详细说明。
- 史继祥索开南
- 关键词：电阻率区熔
- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 介绍了生长电阻率1×10~4～2×10~4Ω·cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 文献传递
- 一种铌酸锂单晶的变速切割方法
- 本发明公开了一种铌酸锂单晶的变速切割方法。基本步骤为：1、用胶水粘接铌酸锂单晶，保证晶向在合格范围内；2、聚乙二醇和碳化硅微粉按照一定比例配置成切割砂浆；3、将粘接好的铌酸锂单晶放入多线切割机的工作台工位中，将工作台的匀...
- 王雄龙杨洪星张伟才杨静李聪陈晨索开南庞炳远
- 文献传递
- 一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法
- 本发明提供一种超薄锗片翘曲形貌的控制方法，第一步、将锗切割片进行机械研磨，通过锗片研磨加工去除切割损伤的同时对锗片的翘曲方向进行初步控制；第二步、采用酸腐蚀机对锗研磨片进行酸腐蚀，通过酸腐蚀过程去除锗片的研磨损伤，优化锗...
- 杨静韩焕鹏张伟才王雄龙于妍杨洪星陈晨李聪索开南
- 在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺
- 本发明提供一种在单台抛光机上实现MEMS用大尺寸硅片三步抛光的工艺，这种方法在一台抛光机上实现粗、中、精抛光三个步骤，各抛光步骤均使用同一种抛光布，不同的抛光步骤使用不同配比及浓度的抛光液，依靠各抛光步骤之间以及各项工艺...
- 陈晨杨洪星索开南李聪庞炳远杨静王雄龙张伟才赵权
- 文献传递
- 真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量：7
- 2008年
- 通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶体生长速率即可生长出无漩涡缺陷的单晶,而当晶体生长速度较高时,尽管可以消除漩涡,但单晶的少子寿命却有明显的下降。
- 闫萍张殿朝庞丙远索开南
- 关键词：微缺陷少子寿命
- LPCVD法淀积SiO2薄膜的影响因素分析被引量：2
- 2019年
- 通过低压力化学气相沉积(LPCVD)法生长SiO2薄膜炉膛内部温度分布、TEOS源温度设置、炉内压力以及待生长硅片在炉膛内摆放位置等工艺条件变化对所生长薄膜质量的影响进行了多方面的分析,总结出工艺条件与SiO2薄膜淀积速率、片内和片间均匀性以及批量生产成本的关系,得出了最佳工艺路线,实现批次化生产中既能保证工艺的稳定,又最大化地降低生产成本。并通过调整工艺和加强设备维修保养等手段解决了LPCVD法生长SiO2薄膜后的抛光片容易产生颗粒的问题,使硅抛光片实现了开盒即用。
- 范子雨索开南
- 关键词：淀积
- 线圈台阶对区熔硅单晶生长影响的数值计算分析
- 2009年
- 悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟,考虑二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,主要对比分析了线圈上方有无台阶对单晶生长的不同影响。同时结合相应的试验结果及现象,得到了线圈台阶的引入提高了晶体成晶的质量。
- 庞炳远闫萍索开南张殿朝
- 关键词：区熔硅单晶数值模拟
- 一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法
- 本发明公开了一种直接键合用硅单晶抛光片表面质量的评价方法。步骤如下：步骤一，采用强光灯下目检的方式，对表面质量进行初步判断；步骤二，强光灯下目检合格的晶片进行表面颗粒度检测；步骤三，小于表面颗粒检测范围的表面不平坦状况采...
- 索开南杨洪星张伟才庞炳远李聪陈晨杨静王雄龙郑万超
- 文献传递
