2024年12月18日
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冯志宏
作品数:
14
被引量:10
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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发文基金:
河北省自然科学基金
国家自然科学基金
天津市自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘波
中国电子科技集团第十三研究所
尹甲运
中国电子科技集团第十三研究所
王勇
中国电子科技集团第十三研究所
冯震
中国电子科技集团第十三研究所
杨克武
河北工业大学信息工程学院
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刘波
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:SI衬底 ALGAN ALN 晶圆片 刻蚀
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尹甲运
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
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杨克武
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:HFET 微波器件 内匹配 X波段 SIC
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王勇
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:GAN SIC_MESFET X波段 输出功率 HEMT
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冯震
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:X波段 输出功率 SIC_MESFET HFET ALGAN/GAN
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蔡树军
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波器件 GAN SIC_MESFET MMIC 氮化镓
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宋建博
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:X波段 MMIC ALGAN/GAN_HEMT GAN 内匹配
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袁凤坡
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD 氮化镓 SI衬底 HEMT GAN
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张志国
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:ALGAN/GAN HFET HEMT GAN 可变电容
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李佳
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:石墨烯 碳化硅 外延层 衬底 场效应晶体管
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