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杨克武: 作品数：73 被引量：52H指数：4; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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高性能SiC整流二极管研究被引量：2: 2010年; 在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。; 杨霏商庆杰李亚丽闫锐默江辉潘宏菽李佳刘波冯志红付兴昌何庆国蔡树军杨克武; 关键词：击穿电压肖特基接触欧姆接触场板

微波器件可靠性测试装置及其测试方法: 本发明公开了一种微波器件可靠性测试装置及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述方法包括以下步骤：选择微波器件的滤波电容；将所述滤波电容烧结在管壳内；将微波器件管芯烧结在管壳内；将滤波电容键合在管壳输入端子上...; 李亮默江辉崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武; 文献传递

GaAs HFET/PHEMT大信号建模分析被引量：2: 2007年; 在分析GaAs HFET/PHEMT建模设计、在片校准和测试方法的基础上,提出了电荷守恒的EEHEMT1模型,通过Cold FET测量技术,采用在片测试技术,结合窄脉冲测试技术,提出了GaAs HFET/PHEMT器件EE-HEMT1大信号模型,实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好.; 张书敬杨瑞霞高学邦杨克武; 关键词：砷化镓场效应晶体管微波集成电路

Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications: 2007年; A three-stage MMIC power amplifier operating from 6to 18GHz is fabricated using 0.25μm A1GaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor（PHEMT）.The amplifier isfully monolithic,with all matching,biasing,and DC block circuitry included on the chip.Thepower amplifier has an average power gain of 19dB over 6～18GHz.At operation frequenciesfrom 6 to 18GHz,the output power is above 33.3dBm,and the maximum output power of the MMICis 34.7dBm at 10Ghz.The input return loss is less than-10db and the out-put return is lessthan-6dB over operating frequency.This power amplifier has,to our knowledge,the best powergain flatness reported at C-X-Ku-band applications.; 张书敬杨瑞霞张玉清高学邦杨克武

一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统: 本实用新型公开了一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统，属于半导体芯片直流性能的测试方法领域。本实用新型包括用于提供直流电源的栅极电源和漏极电源、栅极电流表和漏极电流表、测试信号发生器、测试信号调制器以及用于放置目标测试芯...; 默江辉李静强马杰李亮崔玉兴付兴昌蔡树军杨克武; 文献传递

超宽带SiC MESFET器件的研制: 2012年; 采用中国电子科技集团公司第十三研究所自主外延材料及标准工艺平台制作了SiC MESFET芯片,采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,制作了超宽带SiC MESFET器件。优化了管壳内匹配形式,采用内匹配技术提高了器件输入阻抗及输出阻抗,采用外电路匹配的方法对器件阻抗进行了进一步提升。通过对输出匹配电路的优化实现了超宽带功率输出。优化了外电路偏置电路,消除了栅压调制效应,提高了电路稳定性。栅宽5 mm器件,脉宽为100μs、占空比为10%脉冲工作,工作电压VDS为48 V,在0.8～2.0 GHz频带内脉冲输出功率为15.2 W(41.83 dBm),功率密度达到3.04 W/mm,功率增益为8.8 dB,效率为35.8%,最终实现了超宽带大功率器件的制作。; 崔玉兴默江辉李亮李佳付兴昌蔡树军杨克武; 关键词：SIC MESFET 内匹配超宽带内匹配

X波段PHEMT功率单片放大器被引量：6: 2006年; 报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.; 张书敬杨瑞霞武继斌杨克武; 关键词：PHEMT X波段 MMIC 功率放大器

GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应被引量：3: 2005年; 从纤锌矿GaN的晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基HFET中两种极化效应的物理机制,分析了二维电子气(2DEG)的形成,极化与2DEG浓度的关系以及提高2DEG浓度的方法。列举了三种典型的电流崩塌效应,分别介绍了其成因和抑制方法,并对各种抑制电流崩塌的方法进行了比较。; 张志国杨瑞霞李丽李献杰王勇杨克武; 关键词：异质结场效应晶体管极化效应二维电子气电流崩塌效应

用于SiC MESFET直流测试的夹具: 本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，属于场效应晶体管测试领域。其包括布有滤波电路的PCB板和承载所述PCB板的金属板；所述金属板设有用于固定被测SiC MESFET器件的凹槽，所述PCB板设有与上述凹...; 默江辉王勇李静强王翔付兴昌杨克武

X波段大功率GaN HEMT的研制: 2008年; 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。; 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武; 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率