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邵凯

作品数：64 被引量：45H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
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蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张斌
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 功率MMIC 高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钮利荣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单片开关 射频开关 GAAS 机用
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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