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王中健
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55
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H指数:2
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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合作作者
程新红
中国科学院上海微系统与信息技术...
俞跃辉
中国科学院上海微系统与信息技术...
夏超
中国科学院研究生院
徐大伟
中国科学院研究生院
曹铎
中国科学院上海微系统与信息技术...
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程新红
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 功率器件 栅结构 击穿电压 栅介质
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俞跃辉
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 离子注入 石墨烯 金属 功率器件
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夏超
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 介质薄膜 金属 离子注入 漂移
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徐大伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 介质薄膜 栅极 光刻胶 金属
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曹铎
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道
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宋朝瑞
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI材料 SOI SOI_LDMOS 介质薄膜 自加热效应
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郑理
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 增强型 金属电极 金属 重掺杂
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何大伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI ESD保护器件 高介电常数 高压功率器件 栅极
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贾婷婷
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:介质薄膜 漂移 掩膜版 沟道 空位
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沈玲燕
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:石墨烯 金属电极 重掺杂 源区 电极
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