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方小华

作品数：5 被引量：7H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 3个电气工程
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  • 2个化学工程
  • 2个金属学及工艺
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  • 1个机械工程
  • 1个建筑科学
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  • 1个文化科学
  • 1个自然科学总论

主题

  • 8个异质结
  • 7个电子迁移率
  • 7个异质结材料
  • 7个英文
  • 7个迁移率
  • 7个微波毫米波
  • 7个晶体管
  • 6个砷化镓
  • 4个底片
  • 4个调制
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  • 4个生长温度
  • 3个氮化
  • 3个氮化镓
  • 3个电路
  • 3个电学
  • 3个电阻
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  • 3个掩膜
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机构

  • 8个南京电子器件...
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  • 1个南京大学
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  • 1个中国电子科技...
  • 1个电子工业部
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  • 1个中华人民共和...
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资助

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  • 3个中国科学院知...
  • 2个国家高技术研...
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  • 2个国家教育部博...
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传媒

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地区

  • 7个江苏省
  • 1个安徽省
共 8 条 记 录，以下是 1-8
谢自力
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱凯
供职机构：中国科学院固体物理研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建炉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹志军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
将朝晖
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MBE生长 分子束外延 PHP 半导体材料 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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