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邱凯

作品数：18 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇分子束
  • 11篇分子束外延
  • 5篇二维电子
  • 5篇二维电子气
  • 5篇MBE生长
  • 4篇调制掺杂
  • 4篇异质结
  • 4篇晶体管
  • 4篇MBE
  • 4篇掺杂
  • 4篇GAAS
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇沟道
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇异质结材料
  • 2篇英文
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料

机构

  • 15篇南京电子器件...
  • 4篇中国科学院
  • 2篇南京大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 18篇邱凯
  • 13篇谢自力
  • 13篇尹志军
  • 11篇陈建炉
  • 5篇方小华
  • 5篇王向武
  • 4篇张晓娟
  • 3篇方晓华
  • 3篇蒋朝辉
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇陈家荣
  • 2篇将朝晖
  • 1篇姬长建
  • 1篇邹崇文
  • 1篇徐法强
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇李新化
  • 1篇曹先存
  • 1篇孙娟
  • 1篇潘海斌

传媒

  • 5篇微纳电子技术
  • 2篇电子器件
  • 2篇第六届全国分...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第八届全国固...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 3篇2003
  • 6篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究被引量：1
2005年
利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1·4eV.通过对界面价带谱和Au4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au_Ga合金.
邹崇文孙柏王国栋张文华徐彭寿潘海斌徐法强尹志军邱凯
关键词：AU同步辐射光电子能谱势垒高度态密度平面波价带
GaAs基异质结材料MBE生长及应用
GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应...
邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉
关键词：分子束外延半导体材料
文献传递
RHEED优化MBE异质材料生长工艺被引量：2
2003年
利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺。优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺。通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质谱研究了利用该工艺生长的AlGaAs/InGaAs/GaAs双δ掺杂PHEMT结构材料,获得了较好的材料参数。利用该材料研制器件也有较好的结果。
谢自力邱凯尹志军
关键词：分子束外延砷化镓器件
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长被引量：1
2002年
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。
谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
关键词：分子束外延调制掺杂二维电子气
MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
2003年
在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。
邱凯张晓娟陈建炉
关键词：INGAAS生长温度
InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
2003年
设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×10^(12)/cm^2、室温迁移率高达13600 cm^2/V·s的性能优良的HEMT材料。
邱凯张晓娟陈建炉
关键词：高电子迁移率晶体管复合沟道
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
2007年
使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
钟飞邱凯李新化尹志军姬长建韩奇峰曹先存陈家荣段铖宏周秀菊王玉琦
关键词：表面形貌GAN薄膜
分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)
2000年
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。
谢自力邱凯尹志军方小华王向武陈堂胜
关键词：场效应晶体管分子束外延生长INGAAS/GAAS异质结
GaAs基异质结材料MBE生长及应用
2002年
对 Ga As基调制掺杂异质结材料中作为沟道层的 In Ga As的生长条件进行优化 ,并在缓冲层中嵌入LT-Ga As。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .7μm时 ,跨导 gm≥ 40 0 m S/mm,BVDS>1 5 V,BVGS>1 2 V。
邱凯尹志军谢自力
关键词：异质结材料MBE分子束外延调制掺杂
MBE制备Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂异质结构
本文用GEN-ⅡMBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能.
谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
关键词：MBE
文献传递
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