陈建炉
- 作品数：11 被引量：8H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- InP-HEMT中复合沟道的设计与生长
- 2003年
- 设计并生长了带有复合沟道的InP基HEMT材料,该材料具有较高的二维电子气浓度和迁移率。在使用In_xGa_(1-x)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As复合沟道时,当In组分等于0.7时得到较好的沟道输运性能;在使用InAs复合沟道时,得到了二维电子气浓度为2.3×10^(12)/cm^2、室温迁移率高达13600 cm^2/V·s的性能优良的HEMT材料。
- 邱凯张晓娟陈建炉
- 关键词：高电子迁移率晶体管复合沟道
- GaAs基异质结材料MBE生长及应用
- GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应...
- 邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉
- 关键词：分子束外延半导体材料
- 文献传递
- MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
- 2003年
- 在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。
- 邱凯张晓娟陈建炉
- 关键词：INGAAS生长温度
- MBE制备Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂异质结构
- 本文用GEN-ⅡMBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能.
- 谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
- 关键词：MBE
- 文献传递
- PHPHEMT材料MBE生长及其应用(英文)
- 2001年
- 我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲层 ,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果。
- 邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉
- 关键词：分子束外延
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长被引量：1
- 2002年
- 通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法研究材料特性,得到材料参数的典型值:二维电子气浓度在室温时为5.6×1011cm-2,电子迁移率为6000cm2/V·s;在77K低温时浓度达3.5×1011cm-2,电子迁移率为1.43×105cm2/V·s。用C-V法测量其浓度分布表明,分布曲线较陡。典型的器件应用结果为:单管室温直流跨导达280mS/mm,在12GHz时均有8dB以上的增益。
- 谢自力邱凯尹志军方晓华陈建炉蒋朝辉
- 关键词：分子束外延调制掺杂二维电子气
- MBE生长含应变层InGaAs/GaAs选择掺杂异质二维电子气
- 利用GEN-Ⅱ型进口分子束外延设备生长InGaAs/AlGaAS/GaAs异质结构材料,并进行了材料结构优化设计和材料特性研究,并用于研制PHEMT器件.
- 谢自力邱凯陈建炉张晓娟
- 关键词：半导体材料分子束外延INGAAS/GAAS二维电子气
- 文献传递
- PHEMT结构材料及器件被引量：7
- 2002年
- 概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
- 谢自力邱凯尹志军方小华陈建炉王向武陈堂胜高建峰
- 关键词：微波毫米波分子束外延异质结二维电子气
- 优化生长应变InGaAs结构在HFET中应用
- 邱凯方小华谢自力王向武陈建炉
- 关键词：HFETINGAAS
- 在(311)A GaAs衬底上生长GaAs/GaAlAs P沟道HFET材料
- 利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体材料,并生长了高性能的P沟道HFET材料.
- 邱凯谢自力尹志军张晓娟陈建炉
- 关键词：调制掺杂二维电子气分子束外延
- 文献传递
