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赵新建

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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李拂晓
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王茂森
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 集成电路 极高频 KA波段 压控振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢中华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 自对准 谐波 声表面波器件 声表面波滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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