2024年12月4日
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董军恒
作品数:
8
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H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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电子电信
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合作作者
索开南
中国电子科技集团公司第四十六研...
刘燕
中国电子科技集团公司第四十六研...
刘洪飞
中国电子科技集团公司第四十六研...
闫萍
中国电子科技集团公司第四十六研...
庞炳远
中国电子科技集团公司第四十六研...
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刘燕
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:硅 电阻率 区熔 少子寿命 FZ
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索开南
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 少子寿命 硅 区熔硅单晶 SI单晶
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刘洪飞
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:电阻率 FZ 硅 均匀性 单晶
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所获资助
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闫萍
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 高阻 少子寿命
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庞炳远
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:区熔 硅单晶 区熔硅单晶 硅单晶生长 硅
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所获资助
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刘洪
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:FZ 区熔硅单晶 硅单晶 区熔 电阻率
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张殿朝
供职机构:天津工业大学
研究主题:区熔 少子寿命 硅单晶 区熔硅单晶 数值模拟
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高岗
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:FZ 硅 均匀性 单晶 电阻率
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高丹
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:LPCVD 封片 二氧化硅 低压化学气相淀积 沉积温度
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