刘燕
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
- 文献传递
- 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：3
- 2009年
- 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认为由于晶体原子的侧向生长,产生的杂质侧向分凝,是电阻率分布不均匀的主要原因。大量生产实验表明,生长过程中改变常规生长参数对提高均匀性的作用并不明显,要想从本质上提高电阻率径向均匀性,只能尝试非常规的技术。
- 刘洪飞索开南董军恒刘燕刘洪高岗
- 关键词：电阻率均匀性
- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 2008年
- 介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
- 2008年
- 主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
- 刘洪飞刘燕董军恒
- 关键词：电阻率
- 消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究
- 2012年
- 在无位错FZ硅单晶生长过程中,长"硅刺"是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现"硅刺",如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。对FZ硅单晶生长过程中,减少和消除硅刺进行了研究,尤其是加热线圈结构设计对抑制硅刺产生的重要作用。通过对线圈的合理改进,使FZ单晶生长过程中避免或减少"硅刺"的出现。
- 刘燕
- 关键词：区熔线圈
