董军恒
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 高频线圈坡面对生长FZ单晶的影响被引量：1
- 2011年
- 通过对高频线圈下坡面对生长FZ单晶的作用,分析了不同坡面线圈的磁力分布,以及磁力在单晶生长过程中的作用。线圈下面坡度的大小,会产生分布不同的磁力,在FZ单晶生长时,磁力对固液交界面的外边缘有重要的影响。分析认为采用下坡度合适的加热线圈,可以有利于单晶的顺利生长,提高单晶的成功率。
- 董军恒刘洪飞
- 关键词：磁力
- 真空高阻区熔硅单晶少子寿命的研究
- 本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有(30～40)m的低寿命区,之后随着...
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔硅单晶少子寿命
- 文献传递
- 杂质分凝对FZ-Si单晶电阻率均匀性影响的研究被引量：3
- 2009年
- 对区熔Si单晶样品的轴向、径向以及生长界面的电阻率进行了测试,分析了影响电阻率均匀性的主要因素。结果表明,通常认为的影响电阻率均匀性的因素,并不是决定性因素。本文从FZ单晶在生长过程中,杂质在轴向和侧向分凝的角度进行分析,认为由于晶体原子的侧向生长,产生的杂质侧向分凝,是电阻率分布不均匀的主要原因。大量生产实验表明,生长过程中改变常规生长参数对提高均匀性的作用并不明显,要想从本质上提高电阻率径向均匀性,只能尝试非常规的技术。
- 刘洪飞索开南董军恒刘燕刘洪高岗
- 关键词：电阻率均匀性
- 真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
- 2008年
- 介绍了生长电阻率1×104～2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30～40mm的低寿命区,之后随着生长的继续,寿命又会有明显的升高。此种现象在相同条件、相同原料生长的气氛单晶中就没有出现。利用金相电子显微镜对所发现的低寿命区进行了缺陷分析,结果在低寿命区的断面处均未发现漩涡、位错等对寿命影响较为严重的缺陷。
- 索开南闫萍张殿朝庞炳远刘燕董军恒
- 关键词：区熔少子寿命漩涡位错
- 气相掺杂FZ单晶电阻率的控制
- 2008年
- 主要介绍了用气相掺杂的方法制备FZ单晶的基本技术条件和设计思路。采用此技术可使气相掺杂时既快速准确地实现目标电阻率。对单晶的轴向及径向电阻率均匀性进行调整,提高了气相掺杂FZ硅单晶的成品率。
- 刘洪飞刘燕董军恒
- 关键词：电阻率
- LPCVD设备维护保养的重要性分析
- 2018年
- LPCVD设备是目前国内外半导体集成电路,半导体光电器件制备工艺中常用的CVD设备之一。简要分析正硅酸乙酯源低压化学气相淀积法淀积SiO_2膜过程中产生的问题,并根据实际使用的经验,对低压化学气相淀积法设备在生产过程中出现的问题进行讨论,分析和总结其维护及保养措施。
- 董军恒高丹
- 关键词：淀积速率均匀性真空度
- 直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
- 2014年
- 通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔工艺联合方式研制的低阻硅单晶具有电阻率控制准确、氧碳含量低、工艺易于实施等特点.同时,对直拉区熔联合法生长单晶的技术特点进行了探讨.
- 庞炳远闫萍索开南董军恒刘洪
- 关键词：区熔硅单晶电阻率
- 锗单晶多线切割工艺研究
- 2018年
- 研究了变速切割及不同环境温度下定速切割对锗片翘曲度的影响。结果表明:锗单晶因其热学性能较差,在切割过程中降低热量导入晶体、提高晶体热量的导出是决定锗晶片翘曲度的重要因素;采用180μm/min定速切割的锗晶片翘曲度要比采用Si单晶与Ge单晶热学工艺变速切割锗片的翘曲度小6~7μm;环境温度越低,热量导出速度越快,切割的锗晶片翘曲度越小,当环境温度为20℃时,180μm/min定速切割的锗晶片翘曲度能达到12.4μm。
- 董军恒李聪
- 关键词：翘曲度环境温度
