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韩春林

作品数：12 被引量：9H指数：2
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合作作者

领域

  • 22个电子电信
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  • 2个历史地理
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主题

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  • 15个单片集成
  • 15个电子迁移率
  • 15个高电子迁移率
  • 14个单片
  • 14个电路
  • 14个集成电路
  • 14个半导体
  • 13个单片集成电路
  • 12个电阻
  • 12个势垒
  • 12个GAAS
  • 10个低噪
  • 9个氮化镓
  • 9个导体
  • 9个导通
  • 9个低噪声
  • 8个击穿电压

机构

  • 17个南京电子器件...
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  • 4个中国电子科技...
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  • 1个东南大学
  • 1个电子科技大学
  • 1个吉林大学
  • 1个电子工业部
  • 1个电子部
  • 1个信息产业部
  • 1个微波毫米波单...
  • 1个江苏省光电信...

资助

  • 13个国家自然科学...
  • 8个国家高技术研...
  • 8个江苏省自然科...
  • 7个国家重点基础...
  • 5个微波毫米波单...
  • 4个国家部委预研...
  • 4个国家教育部博...
  • 3个浙江省教育厅...
  • 3个国家电网公司...
  • 3个国家重点实验...
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  • 2个国家科技重大...
  • 2个江苏省科技支...
  • 2个电子元器件可...
  • 2个江苏高校优势...
  • 2个江苏省高校优...
  • 2个浙江省杰出青...
  • 2个浙江省重点科...

传媒

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  • 13个半导体技术
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  • 7个微纳电子技术
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  • 3个电子工业专用...
  • 3个光电子技术

地区

  • 17个江苏省
  • 3个浙江省
  • 1个北京市
  • 1个四川省
共 22 条 记 录，以下是 1-10
陈辰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛舫时
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HFET 电流崩塌 GAN 势垒 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 4H-SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：电子束蒸发 GAAS INP基 金膜 TI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张政
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：波段 GAN高电子迁移率晶体管 NM 放大器 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周建军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN ALGAN ALGAN/GAN 分布布拉格反射镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪浩
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC_MESFET 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 碳化硅 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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