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赵志飞

作品数：15 被引量：27H指数：3
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC 碳化硅 4H-SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄润华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘奥
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 界面态 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陶永洪
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 SIC H型 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪玲
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：H型 界面态 碳化硅 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆东赛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC衬底 均匀性 正交实验 硅 SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单晶 SI-GAAS单晶 SIC衬底 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈刚
供职机构：南京大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李忠辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：氮化镓 GAN MOCVD 二维电子气 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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