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钟志新

作品数:4 被引量:5H指数:1
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
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王福臣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 单片 功率放大器 场效应晶体管 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
翁瑞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
华培忠
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:大功率 振荡 场效应晶体管 波段 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王佃利
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 微波功率晶体管 LDMOS 硅脉冲功率晶体管 功率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王因生
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅 功率晶体管 硅脉冲功率晶体管 L波段 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康小虎
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:硅脉冲功率晶体管 硅 功率晶体管 微波功率晶体管 L波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁波
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:X波段 GAAS 压控振荡器 单片 振荡器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范国华
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:微波功率器件 功率FET 可靠性 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓明
供职机构:中国赛宝实验室
研究主题:微波功率器件 微波器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯敬东
供职机构:中国赛宝实验室
研究主题:微波功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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