翁瑞
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制
- 1993年
- 本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
- 华培忠王福臣翁瑞钟志新马跃梁波杨玉昌
- 关键词：砷化镓场效应晶体管
- 3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs
- 1992年
- GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。
- 华培忠翁瑞王福臣钟志新
- 关键词：振荡器波段大功率
